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三星、SK海力士祭出EUV,掀新世代DRAM决战

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TF卡工厂三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)双双投入极紫外光(EUV)技术的DRAM制程研发,欲在存储器市场取得更大领先。日前三星电子宣布已完成技术研发,即将进入EUV商用化阶段,引起业界关注后续发展。

据韩媒Business Post报导,TF卡工厂三星电子日前表示即将在7纳米系统半导体代工生产启用EUV技术,后续也会将EUV技术延伸到DRAM生产。三星是目前唯一成功在系统半导体导入EUV制程的业者,将EUV技术用在DRAM领域将指日可待。

TF卡工厂三星电子表示,准备从10纳米中段(1y)DRAM开始采用EUV技术,逐渐扩大到10纳米以下制程,提高超高速、超大容量DRAM产品的技术竞争力。

SK海力士最近发表利川新存储卡工厂兴建计画,也松口会提高投资规模,采用最新EUV技术进行生产。韩国业界表示,SK海力士持续进行EUV技术研发,待工厂完工时应可顺利与新技术接轨。

EUV技术生产DRAM在存储器市场将相当具有竞争力,因为产品不但能提高性能与电力效率,芯片体积也可缩小,使每片晶圆可生产的芯片数量增加,有效节省生产成本。DRAM价格易受市场景气影响波动,对业者而言,降低生产成本至关重要。

目前为止DRAM业者的技术水平差距不大,产品性能也未存在太大差异,使业者之间只能不断进行激烈的价格竞争。但若TF卡工厂三星电子与SK海力士采用EUV技术生产DRAM,所提高的产品水平将更易于满足客户需求。

尤其人工智能(AI)服务器与自驾车等新兴科技领域对DRAM的质量要求提高,订单恐会涌向生产技术领先的DRAM业者。相较于美光(Micron)对采用EUV技术态度较为消极,TF卡工厂三星电子与SK海力士积极以新技术欲维持领先。

TF卡工厂三星电子表示,在半导体生产采用EUV技术之后,将可让5G、AI、物联网(IoT)等领域的技术发展速度加快,后续将会扩大EUV技术应用,提供客户更完善的产品服务。

韩国分析师预测,2019年起半导体业者将调整策略,减少DRAM方面的投资,有助市场景气维持良好。亦即包括TF卡工厂三星电子、SK海力士在内的DRAM业者会放慢DRAM投资脚步。

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